Особенности обеспечения отказоустойчивости нейронных сетей на базе мемристоров на схемотехническом структурно-функциональном уровне
Аннотация
Статья посвящена проблеме обеспечения высокой отказоустойчивости (ОУ) искусственных нейронных сетей (ИНС), аппаратно реализуемых на основе массивов мемристоров (ИНСМ). Основной задачей, в рамках названной проблемы, является сохранение заданной отказоустойчивости и точности функционирования ИНСМ при переходе от компьютерных моделей к реальным устройствам из-за влияния дополнительных внешних и внутренних деструктивных факторов. Рассмотрены известные решения задачи, их слабые и сильные стороны. Предложена авторская схемотехническая реализация отказоустойчивой ИНСМ, обученной распознаванию и нелинейной классификации нескольких типов биологических сигналов. ИНСМ имеет архитектуру многослойного персептрона, который аппаратно реализуется с применением российских пассивных матриц металл-оксидных мемристоров с топологией «кросс-бар».