Проектирование искусственных нейронных сетей на основе мемристоров с заданной отказоустойчивостью
Аннотация
В статье сформулирован и применён общий подход к проектированию искусственных нейронных сетей на основе мемристоров (ИНСМ) с заданной отказоустойчивостью (ОУ). Показано, что решение задачи обеспечения требуемой ОУ ИНСМ связано с решением задач обеспечения заданной точности их функционирования на всех уровнях структурно-функциональной иерархии. На практических примерах показано, что, вопреки утверждению некоторых исследователей, потенциально высокая ОУ ИНСМ не обеспечивается автоматически применением нейросетевого логического базиса решения задач, а зависит от многих факторов и требует реализации специальных физическо-информационных технологий на всех этапах жизненного цикла ИНСМ. Предложен модифицированный вариант количественного критерия ОУ, на основании значений которого можно строить схемы надёжности ИНСМ, рассчитывать и оптимизировать их надёжность по действующим российским и межгосударственным стандартам. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ 19-07-01215.
