О расчёте амплитудной характеристики дипольного нелинейного рассеивателя с селективной схемой

Аннотация

Составлена эквивалентная радиотехническая схема и математическая модель пассивного нелинейного рассеивателя, состоящего из симметричного проволочного диполя, нагруженного на сосредоточенный нелинейный элемент, в качестве которого рассматривался полупроводниковый диод, и селективную схему, в качестве которой рассматривался колебательный контур. Посредством численного моделирования произведена оценка уровня нелинейных помех, формируемых пассивным нелинейным рассеивателем с селективной схемой. Определено, что более сильное влияние на уровень помех на частотах высших гармоник воздействующего гармонического сигнала оказывают реактивные параметры селективного контура, а не его активное сопротивление. Получены амплитудные характеристики рассеянного сигнала для различных значений сопротивления антенной части нелинейного рассеивателя и различных параметров селективной схемы. Показано, что с ростом антенного сопротивления при фиксированном уровне воздействующего сигнала наблюдается спад интенсивности рассеянного сигнала.