Исследование и моделирование синаптической пластичности мемристивных устройств
Аннотация
В статье приведены результаты моделирования синаптической пластичности мемристивных устройств, проявляющейся при подаче импульсных сигналов различной полярности. Для моделирования использован язык программирования Python и численный метод Эйлера для решения дифференциальных уравнений. Результаты моделирования могут быть использованы при создании алгоритмов и цифро-аналоговых схем обучения спайковых нейронных сетей на базе мемристивных устройств.
Опубликована
2023-06-19
Как цитировать
ЩАНИКОВ, Сергей Андреевич; АНТОНОВ, Александр Михайлович; КОРОЛЕВ, Леонид Ярославович.
Исследование и моделирование синаптической пластичности мемристивных устройств.
Методы и устройства передачи и обработки информации, [S.l.], n. 24, p. 95-100, июнь 2023.
ISSN 2311-598X.
Доступно на: <https://rts-md.mivlgu.ru/MDjornal/article/view/383>. Дата доступа: 21 дек. 2024
Раздел
Информационные системы и модели